[发明专利]荧光体层、半导体发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810146096.7 | 申请日： | 2002-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101335322A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 前田俊秀;大盐祥三;岩间克昭;北原博实;池田忠昭;龟井英德;花田康行;坂上惠 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C09K11/77 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种荧光体层、半导体发光装置及其制造方法，所述荧光体层，包括荧光体粒子、超微粒子和透光性树脂，其中：所述荧光体粒子被分散在所述荧光体层中，所述超微粒子的一次粒子的平均直径在3nm以上且50nm以下的范围内。据此，使组合了发光元件与所述荧光体层而得到的半导体发光装置的颜色不均匀较少。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种荧光体层，包括荧光体粒子、超微粒子和透光性树脂，其中：所述荧光体粒子被分散在所述荧光体层中，所述超微粒子的一次粒子的平均直径在3nm以上且50nm以下的范围内。
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