[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

一种包括场板和半导体器件的半导体元件以及一种制造所述半导体元件的方法。半导体材料包括设置在半导体衬底上的外延层。场板槽延伸进半导体材料，且场板在场板槽中形成。一个栅槽在两个邻近的场板槽之间形成，而另一个栅槽邻近场板槽中的一个形成。栅结构在栅槽中形成，其中每个栅结构包括栅氧化物和栅导体。导体将场板电耦合到一起。

主权项

1. 一种用于制造半导体元件的方法，其包括：提供具有相对的第一表面和第二表面的半导体材料；在所述半导体材料中形成第一槽和第二槽，其中所述第一槽和第二槽具有至少一个侧壁，并从所述第一表面延伸进所述半导体材料第一距离；在所述第一槽和第二槽中形成电介质材料；在所述第一槽和第二槽中形成半导体材料，在所述第一槽中的所述电介质材料在所述第一槽中的所述半导体材料和所述第一槽的所述至少一个侧壁之间，而在所述第二槽中的所述电介质材料在所述第二槽中的所述半导体材料和所述第二槽的所述至少一个侧壁之间；以及通过以下步骤在所述第一槽和第二槽之间形成栅结构：在所述半导体材料中形成第三槽，所述第三槽具有至少一个侧壁，并从所述第一表面延伸进所述半导体材料第二距离；在所述第三槽中形成栅电介质；以及在所述第三槽中形成半导体材料，其中所述栅电介质在所述第三槽的所述至少一个侧壁和所述第三槽中的所述半导体材料之间。