[发明专利]一种聚醚醚酮薄膜绕包-高温烧结绝缘导体及其生产工艺无效

专利信息
申请号: 200810146485.X 申请日: 2008-09-01
公开(公告)号: CN101667470A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: 罗志远;王广金;周天;郑兰疆 申请(专利权)人: 中国核动力研究设计院
主分类号: H01B7/00 分类号: H01B7/00;H01B3/30;H01B13/00;H01B13/06
代理公司: 核工业专利中心 代理人: 高尚梅
地址: 610041四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于绝缘导体领域,具体涉及一种聚醚醚酮薄膜绕包一高温烧结绝缘导体及其生产工艺,旨在解决现有绝缘导体在核环境下长时间工作绝缘性能下降的问题;本发明提供一种聚醚醚酮薄膜绕包一高温烧结绝缘导体,它由内导体(1)和紧密附着在内导体(1)上的绝缘层(2)组成;内导体(1)的直径为0.8~40mm,绝缘导体绝缘层(2)的厚度范围为0.05~0.8mm;还提供其生产工艺,包括校直内导体、处理内导体表面、包覆薄膜、熔融薄膜、冷却五个步骤;有益效果:该绝缘导体具有耐高温、耐辐照和耐高温水解性、绝缘层材料一致性较好,烧结过程中不会产生有毒物质;工艺过程简单,适合各种规模生产;适合于全线径导体的绝缘层制造。
搜索关键词: 一种 聚醚醚酮 薄膜 高温 烧结 绝缘 导体 及其 生产工艺
【主权项】:
1.一种聚醚醚酮薄膜绕包-高温烧结绝缘导体,其特征在于:所述绝缘导体由内导体(1)和紧密附着在内导体(1)上的绝缘层(2)组成;内导体(1)为铜材,其直径为0.8mm~40mm,绝缘层(2)为高性能绝缘材料,其厚度为0.05mm~0.8mm。
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