[发明专利]形成非易失性存储器件的栅极的方法无效
| 申请号： | 200810146906.9 | 申请日： | 2008-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101465291A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 宋锡杓;辛东善;皮升浩;朴基善;黄善焕;李美梨;朴吉在 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供用于形成非易失性存储器件的栅极的方法。在半导体衬底上形成隧道层、电荷俘获层、阻挡层和控制栅极层。在控制栅极层上形成硬掩模。所述硬掩模限定其上形成栅极的区域。通过蚀刻控制栅极层、阻挡层、电荷俘获层和隧道层形成栅极图案。使用约1毫托(mT)～约100mT压力的超低压等离子体在栅极图案的侧面上形成损伤补偿层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 非易失性存储器 栅极 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于形成非易失性存储器件的栅极的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成隧道层、电荷俘获层、阻挡层和控制栅极层；在所述控制栅极层上形成硬掩模，所述硬掩模限定其上形成栅极的区域；蚀刻所述控制栅极层、所述阻挡层、所述电荷俘获层和所述隧道层以形成栅极图案；和对所述栅极图案的侧面施加压力为约1mT～约100mT的超低压等离子体，以在所述栅极图案的侧面上形成损伤补偿层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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