[发明专利]供半导体光电元件磊晶用的半导体基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200810147012.1 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101651174A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;徐文庆;何思桦 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰硅晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/02;H01L31/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙 刚 |
| 地址： | 215300江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种供一半导体光电元件磊晶用的半导体基板及其制造方法。根据本发明的半导体基板包含一基板及一氮化物缓冲层。该氮化物缓冲层由一原子层沉积制程、一电浆增强原子层沉积制程或一电浆辅助原子层沉积制程形成于该基板的一上表面上。该氮化物缓冲层提高该半导体光电元件中的一半导体材料层(semiconductor material layer)的磊晶品质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光电 元件 磊晶用 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种供一半导体光电元件磊晶用的半导体基板，该半导体基板包含：一基板；以及一氮化物缓冲层，该氮化物缓冲层由一原子层沉积制程、一电浆增强原子层沉积制程或一电浆辅助原子层沉积制程形成于该基板的一上表面上，该缓冲层还能通过原子层沉积制程和一电浆增强原子层沉积制程或原子层沉积制程和电浆辅助原子层沉积制程的组合制程形成，其中该氮化物缓冲层提高该半导体光电元件中的半导体材料层的磊晶品质。
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