[发明专利]硅基近红外发光薄膜材料的制备方法无效
| 申请号： | 200810147887.1 | 申请日： | 2008-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101431136A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张建国 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 硅基近红外发光薄膜材料的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域，特别涉及半导体硅基发光薄膜材料的制备方法。硅基近红外发光薄膜材料是在硅基片上利用三氧化二硼、三氧化二铝、三氧化二镓、三氧化二铟、磷的氧化物、砷的氧化物、锑的氧化物、铋的氧化物这8种材料中的一种或多种、二氧化硅以及可发近红外光的稀土离子混合的基础上，掺入具有高还原性的单质铝原子。接着经过一个非氧化气氛下的高温退火过程，利用单质铝原子的高还原性，使整个薄膜材料体系欠氧而生成与氧空位相关的缺陷发光中心。氧空位缺陷发光中心是掺杂的稀土离子近红外发光的高效敏化剂。这种硅基近红外发光薄膜材料可应用于硅基光电集成。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基近 红外 发光 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、硅基近红外发光薄膜材料的制备方法，该制备方法是在硅基片上利用三氧化二硼(B2O3)、三氧化二铝(Al2O3)、三氧化二镓(Ga2O3)、三氧化二铟(In2O3)、磷的氧化物、砷的氧化物、锑的氧化物、铋的氧化物这8种材料中的一种或多种、二氧化硅以及可发近红外光的稀土离子混合的基础上，掺入具有高还原性的单质铝原子。接着经过一个非氧化气氛下的高温退火过程，利用单质铝原子的高还原性，使整个薄膜材料体系欠氧而生成与氧空位相关的缺陷发光中心。这种氧空位缺陷发光中心是掺杂稀土离子近红外发光的敏化剂。包括以下步骤：步骤1：在硅基片上制备混合有三氧化二硼(B2O3)、三氧化二铝(Al2O3)、三氧化二镓(Ga2O3)、三氧化二铟(In2O3)、磷的氧化物、砷的氧化物、锑的氧化物、铋的氧化物这8种材料中的一种或多种、二氧化硅、可发近红外光的稀土离子以及单质铝原子的薄膜材料；步骤2：非氧化气氛下高温退火，使整个薄膜材料因欠氧而生成可敏化稀土离子近红外发光的氧空位缺陷发光中心。
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