[发明专利]BCD半导体器件及其制造方法

摘要

BCD半导体器件及其制造方法属于半导体功率器件技术领域。器件包括高压nLIGBT、第一类高压nLDMOS，第二类高压nLDMOS，第三类高压nLDMOS和低压NMOS、PMOS、NPN。半导体器件直接做在单晶衬底上。高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN直接做在单晶p型衬底上，低压NMOS做在p型阱中，低压PMOS做在n型阱中。制作过程不采用外延工艺。在单晶衬底上实现nLIGBT、nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成。由于没有采用外延工艺，芯片具有较低的制造成本。本发明的nLIGBT器件、nLDMOS器件具有输入阻抗高，输出阻抗低等特点，其构成的高压功率集成电路可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。

主权项

1、一种BCD半导体器件，其特征在于：器件包括高压nLIGBT(1)、第一类高压nLDMOS(2)，第二类高压nLDMOS(3)，第三类高压nLDMOS(4)和低压NMOS(5)、低压PMOS(6)和低压NPN(7)，半导体器件直接做在单晶衬底上，nLIGBT(1)、第一类高压nLDMOS(2)、第二类高压nLDMOS(3)、第三类高压nLDMOS(4)和低压NPN(7)直接做在单晶p型衬底(10)上，低压NMOS(5)做在p型阱(37)中，低压PMOS(6)做在n型阱(25)中。