[发明专利]现场可编程门阵列单粒子效应测试方法

摘要

现场可编程门阵列单粒子效应测试方法，涉及集成电路技术。本发明包括下述步骤：1)去除FPGA封装外壳，将其安装在测试电路板上；2)配置FPGA，然后回读SRAM数据并记录；3)将测试电路板置于测试室内，粒子源发射单粒子轰击FPGA；4)回读SRAM数据并记录；5)比较步骤2)和步骤4)的数据，确定SRAM翻转的位数；6)当翻转次数达到预设值或者无翻转的时段达到预定时值后，更换粒子源，FPGA重新上电，确认FPGA回到初始状态，然后重复步骤3)～5)；7)数据处理：计算出该LET值的翻转截面，生成翻转曲线。本发明准确测试单粒子效应的影响，排除了外来干扰，保证了测试结果准确可靠。

主权项

1、现场可编程门阵列单粒子效应测试方法，其特征在于，包括下述步骤：1)去除FPGA封装外壳，将其安装在测试电路板上；2)配置FPGA，然后回读SRAM数据并记录；3)将测试电路板置于测试室内，粒子源发射单粒子轰击FPGA；4)回读SRAM数据并记录；5)比较步骤2)和步骤4)的数据，确定SRAM翻转的位数；6)当翻转次数达到预设值或者无翻转的时段达到预定时值后，更换为更高LET值的粒子源，FPGA重新上电，确认FPGA回到初始状态，然后重复步骤3)～5)；7)数据处理：由翻转截面＝翻转位数/(粒子流面密度×注入时间)计算出该LET值的翻转截面，生成翻转曲线；电流急剧增加视为闩锁，而上电无法恢复视为烧毁，计算相应截面，得到相关的LET阈值。