[发明专利]制作光掩模的方法无效
申请号: | 200810149289.8 | 申请日: | 2008-09-27 |
公开(公告)号: | CN101685253A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 林佳蔚;黄登烟 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种制作光掩模的方法。首先,提供一透明基板,且在透明基板上形成一填充图案层与一掩模图案层。然后,在透明基板与掩模图案层上形成一晶体材料层,使填充图案层之间填满晶体材料层。之后,移除掩模图案层以及位于掩模图案层上的晶体材料层,以在透明基板上形成一光子晶体图案层。最后,移除填充图案层。 | ||
搜索关键词: | 制作 光掩模 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制作光掩模的方法,其特征在于包括:提供一透明基板,且于该透明基板的一表面上覆盖一填充材料层;图案化该填充材料层,以形成一填充图案层,且曝露出部分该透明基板;在该透明基板与该填充图案层上形成一晶体材料层,并使该填充图案层之间填满该晶体材料层;移除该填充图案层上的该晶体材料层,以在该透明基板上形成一第一光子晶体图案层;以及移除该填充图案层。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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