[发明专利]直接在芯片上铜互连结构的钽合金层上沉积铜的方法无效
| 申请号： | 200810149293.4 | 申请日： | 2008-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101442002A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 布雷特·贝克-奥尼尔;小西里尔·卡布拉尔;哈里克利亚·德利吉亚尼;詹姆斯·J·凯利;郑敏 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/445;C25D7/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种直接在芯片上铜互连结构的钽合金层上沉积铜的方法，其包括由中性或碱性电解质电沉积铜到钽合金层的表面上，其中所述钽合金层沉积在所述芯片上铜互连结构的衬底上，且其中在没有使用籽层的情况下铜成核到所述钽合金层的表面上以形成铜导体。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 芯片 互连 结构 合金 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种直接在芯片上铜互连结构的钽合金层上沉积铜的方法，该方法包括：由中性或碱性电解质电沉积铜到钽合金层的表面上，其中所述钽合金层沉积在所述芯片上铜互连结构的衬底上，且其中在没有使用籽层的情况下铜成核到所述钽合金层的表面上以形成铜导体。
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