[发明专利]降低存储器在自我刷新模式中的电流的方法无效
| 申请号： | 200810149369.3 | 申请日： | 2008-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101377951A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 袁德铭 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是揭露一种降低一存储器在自我刷新模式中的电流的方法，该存储器包含有一字元线驱动电路，该字元线驱动电路包含有一晶体管，该晶体管包含有一控制端、一第一端耦接于一字元线与一第二端，该方法包含有：在该存储器进入该自我刷新模式之后：于一自我刷新操作时段中，控制该控制端与该第二端之间的电压差对应于一第一数值；以及于一非自我刷新操作时段中，控制该控制端与该第二端之间的电压差对应于小于该第一数值的一第二数值。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 存储器 自我 刷新 模式 中的 电流 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低存储器在自我刷新模式中的电流的方法，该存储器包含有一字元线驱动电路，该字元线驱动电路包含有一晶体管，该晶体管包含有一控制端、一第一端以及一耦接于一字元线的第二端，该方法包括以下步骤：在该存储器进入该自我刷新模式之后：在自我刷新操作时段中，控制该控制端与该第二端之间的电压差对应于一第一数值；以及于一非自我刷新操作时段中，控制该控制端与该第二端之间的电压差对应于小于该第一数值的一第二数值。
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