[发明专利]防护薄膜组件及防护薄膜组件之制造方法无效
| 申请号： | 200810149932.7 | 申请日： | 2008-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101414118A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 久保田芳宏;秋山昌次;进藤敏彦 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种防护薄膜组件，其具备实用的EUV用防护薄膜，该薄膜具有优异的高透光性与化学安定性。本发明之防护薄膜组件10，使用对13.5nm波长的光的吸收系数在0.005/nm以下的硅结晶膜作为防护薄膜11。因为硅结晶膜是间接跃迁型的半导体膜，故光吸收系数相对比较低，特别是单结晶硅膜，跟非晶质硅膜或多结晶硅膜比较起来吸收系数更低，故能轻易满足EUV用防护薄膜所需要的透光率。该等防护薄膜可从薄膜化SOI基板(包含SOQ基板或SOG基板)所得到的SOI膜制得。若从SOI基板制得硅结晶膜的防护薄膜的话，在防护薄膜形成过程中不会受到过度的应力，而且是在室温程度的温度下形成防护薄膜，亦不至造成应变。 | ||
| 搜索关键词： | 防护 薄膜 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种防护薄膜组件，其特征为：使用对13. 5nm波长的光的吸收系数在0.005/nm以下的硅结晶膜作为防护薄膜。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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