[发明专利]制备共晶陶瓷的方法无效
| 申请号： | 200810149961.3 | 申请日： | 2000-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101445361A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 大森守;平井敏雄;鸨田正雄 | 申请（专利权）人： | 大森守;SPS新特科株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郭国清;樊卫民 |
| 地址： | 日本宫城*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明有益地提供一种具有均匀致密结构的烧结共晶陶瓷的制备方法，尤其提供含有稀土铝酸盐化合物的共晶体的制备方法。该方法允许将氧化铝和稀土铝酸盐化合物的共晶粉末，使用火花等离子体烧结设备在5-100MPa的压力下于真空或非氧化性气氛中在1300-1700℃的温度下保持1-120分钟，从而使晶体生长，以获得稀土铝酸盐共晶结构晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制备烧结共晶陶瓷的方法，包括通过如下步骤制备烧结共晶陶瓷粉末：1)将用于氧化铝和稀土铝酸盐化合物的共晶陶瓷组合物的原材料粉末混合，2)熔化该混合的粉末以得到共晶体块，3)研磨该共晶体块以制备共晶陶瓷粉末；或者：1)将用于氧化铝和稀土铝酸盐化合物的共晶陶瓷组合物的原材料粉末混合，2)在1000-1500℃的温度下将该混合粉末预烧结，3)熔化该预烧结体以得到共晶体块，4)研磨该共晶体块以制备共晶陶瓷；和然后使得所述共晶陶瓷初始材料使用火花等离子体烧结设备以及使用脉冲直流电在5-100Mpa的压力下于真空或非氧化性气氛中在1300-1700℃的温度下保持1-120分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大森守;SPS新特科株式会社，未经大森守;SPS新特科株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810149961.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
