[发明专利]GaN多层量子点光电材料的制作方法无效
| 申请号： | 200810150272.4 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101315968A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 郝跃;高志远;张进城;李培咸 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN多层量子点光电材料的制作方法，其过程是：首先用MOCVD设备在衬底上依次生长低温缓冲层和高温Ga极性面的n－AlGaN基底层(2)；接着对n－AlGaN基底层(2)用熔融KOH工艺进行腐蚀，在该n－AlGaN位错的表面露头处形成倒六棱锥形腐蚀坑(3)；接着在腐蚀后的n－AlGaN基底层上生长GaN薄层(4)，并在该GaN薄层上生长AlGaN薄层(5)，使倒六棱椎形腐蚀坑(3)的底部形成GaN量子点(6)；接着按设定的GaN薄层(4)的层数，在所有GaN薄层的倒六棱椎形腐蚀坑底部形成GaN量子点；最后在最上层的GaN薄层上生长p－AlGaN层。本发明具有工艺简单，易于控制量子点尺寸和均匀性的优点，可用于批量制作高亮度高效率高稳定性且波长连续可调的光电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | gan 多层 量子 光电 材料 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN多层量子点光电材料的制作方法，包括如下过程：A、用MOCVD设备在衬底上依次生长低温缓冲层(1)和高温Ga极性面的n-AlGaN基底层(2)；B、对n-AlGaN基底层(2)用熔融KOH工艺进行腐蚀，在该n-AlGaN位错的表面露头处形成倒六棱锥形腐蚀坑(3)；C、在腐蚀后的n-AlGaN基底层上生长GaN薄层(4)，使倒六棱锥形腐蚀坑(3)内的GaN厚度远大于其坑外厚度；D、在GaN薄层(4)上生长AlGaN薄层(5)，使倒六棱椎形腐蚀坑(3)的底部形成GaN量子点(6)；E、按设定的GaN薄层(4)的层数，重复上述步骤C和D，在所有GaN薄层的倒六棱椎形腐蚀坑底部形成GaN量子点；F、在最上层的GaN薄层(7)上生长p-AlGaN层(8)。
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