[发明专利]电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷复合绝缘结构及制备方法无效
| 申请号： | 200810150880.5 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101348381A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李盛涛;张拓;李建英;焦兴六;倪凤燕;李巍巍;张云霞 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B37/00 | 分类号： | C04B37/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷复合绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有电压敏陶瓷片，所述复合绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)将电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷分别打磨平整；(2)粘接电压敏陶瓷+氧化铝陶瓷+电压敏陶瓷；低温粘接可使用环氧、硅橡胶等；高温粘接可使用低温玻璃；(3)加热固化。得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。由于电压敏陶瓷具有非线性的V－I特性，使得在高电压下，真空－电极－绝缘子三结合区的场强得到大幅度的减弱，从而抑制了初始电子发射。本发明公开的这种绝缘结构可以显著的改善真空沿面闪络性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 陶瓷 氧化铝陶瓷 复合 绝缘 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷复合绝缘结构，包括氧化铝陶瓷基体，其特征在于，所述氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有电压敏陶瓷片，该电压敏陶瓷片由ZnO陶瓷制成，其电位梯度在60-550之间。
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