[发明专利]前置预放大器电路

摘要

一种前置预放大器电路，包括晶体管NMOS3、晶体管NMOS4和晶体管NMOS5，其特征在于前置预放大器电路的负载为晶体管NMOS1和晶体管NMOS2；本发明的优越性在于：1.这种电路的负载特性受半导体工艺和温度变化的影响很小，可以工作的输入共模电压范围宽，信号传送速度快，增益倍数也相对稳定；2.电路结构简单，易于实现，可靠性高；3.适用于复杂电路的每个部位的信号传送和放大。

主权项

1、一种前置预放大器电路，包括晶体管NMOS3、晶体管NMOS4和晶体管NMOS5，其特征在于前置预放大器电路的负载为晶体管NMOS1和晶体管NMOS2；其中，晶体管NMOS3和晶体管NMOS5作为放大器电路的差分输入端子；所说的晶体管NMOS5的栅极连接偏置电压，通过偏置电压产生电路动作的直流电流，晶体管NMOS5的源极则接地；所说的晶体管NMOS1的栅极和漏极及晶体管NMOS2的栅极和漏极分别与电源相连；所说的晶体管NMOS1的漏极和晶体管NMOS3的源极分别与放大器电路的反相输出端子相连；所说的晶体管NMOS2的漏极和晶体管NMOS4的源极与放大器电路的正相输出端子相连；所说的晶体管NMOS3的栅极与放大器电路的正相输入端子相连；所说的晶体管NMOS4的栅极与放大器电路的反相输入端子相连；所说的晶体管NMOS3的源极与晶体管NMOS4的源极及晶体管NMOS5的漏极相连；所说的晶体管NMOS1的衬底、晶体管NMOS2的衬底、晶体管NMOS3的衬底、晶体管NMOS4的衬底及晶体管NMOS5的衬底分别与地相连。