[发明专利]提拉法晶体生长的控制方法有效

专利信息
申请号: 200810155377.9 申请日: 2008-10-28
公开(公告)号: CN101392404A 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: 惠梦君 申请(专利权)人: 惠梦君
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20
代理公司: 无锡华源专利事务所 代理人: 聂汉钦
地址: 214174江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种提拉法晶体生长的控制方法,通过计算机直接采样得到晶体生长的重量信号,将该重量信号根据信号处理方法,换算得出独立于生长速率的晶体直径反馈信号;将晶体直径反馈信号与晶体直径设定值比较获得信号误差,然后通过该信号误差的PID运算得到控制籽晶的机械拉速计算值;将机械拉速计算值与机械拉速设计值比较获得新的信号误差,通过该新的信号误差的PID运算来控制温度(或功率)。拉速为主控制回路,温度为次生控制回路。通过拉速和温度两个回路的共同作用,实现晶体生长的等径控制。本发明响应速度快,等径控制效果好,晶体表面更光滑,晶体生长速度高,生产效率高。该方法的使用不受晶体材料的影响,可以应用于大多数提拉法晶体生长过程中。
搜索关键词: 提拉法 晶体生长 控制 方法
【主权项】:
1. 一种提拉法晶体生长的控制方法,其特征是:通过计算机直接采样得到晶体生长的重量信号,将该重量信号按照信号处理方法,换算得出独立于生长速率的晶体直径的反馈信号;将晶体直径反馈信号与晶体直径设定值比较,获得信号误差,然后通过该信号误差的PID运算,得到籽晶的机械拉速的计算值,由此来控制籽晶的机械提拉速度,通过拉速改变来控制晶体直径。
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