[发明专利]铜铟镓硒硫或铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法及镀膜设备

摘要

本发明公开了一种铜铟镓硒硫或铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，在先后制备了底层导电膜和金属前驱膜后，将硒化和/或硫化反应源在真空中因高温和等离子放电激发成游离态或离化态的硒分子和/或硫分子，然后在金属前驱膜上进行硒化和/或硫化反应。其及镀膜设备包括反应容器和设于反应容器外并与之连通的真空泵，所述反应容器下方设有上端伸入反应容器内部的转动轴，所述反应容器内还设有等离子体发生装置和加热装置，所述反应容器还连通设有保护气体输入装置和硒化和/或硫化反应源装置。本发明可以保持原有方法的较高转换效率，也避免使用硒化氢或硫化氢等剧毒气体，提高镀膜加工安全，还提高了硒源和/或硫源的使用效率。

主权项

1. 一种铜铟镓硒硫或铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)制备底层导电膜：在衬底(1)上，利用掩膜蒸发或溅射制成底层导电膜(2)；2)制备薄膜电池的金属前驱膜(3)：在底层导电膜(2)上用磁控溅射或真空蒸发的方法镀上铜、铟、镓的金属前驱膜(3)；3)硒化和/或硫化反应：将待加工模块置于反应容器(4)中，然后将反应容器(4)抽成真空状态，将不与铜、铟、镓反应的保护气体以及硒化和/或硫化反应源送入反应容器(4)中，在反应容器(4)内进行加热和等离子放电，使得部分硒分子和/或硫分子在等离子体下被激发成游离态和离化态在金属前驱膜(3)上进行硒化和/或硫化反应。