[发明专利]一种测量光刻胶掩模槽形结构参数的方法

摘要

本发明公开了一种测量光刻胶掩模槽形结构参数的方法，其特征在于：采用TE/TM线偏振光为入射光，入射角为被测掩模的闪耀角，分别测量标准反射片的反射光的光谱分布D₀(λ)；被测掩模的反射衍射零级复色光的光谱分布D(λ)；采用比较法，计算出介质膜光栅掩模实际的反射衍射零级的光谱分布R_g(λ)，对其进行光谱反演，得到掩模的槽形参数：光刻胶的剩余厚度、槽深和占宽比。本发明实现了对于面积、重量均较大的待测掩模的槽形参数的无损检测；且可以避免测量系统的误差，对光谱仪测量系统以及光源没有特别要求，测量方法简单易行。

主权项

1.一种测量光刻胶掩模槽形结构参数的方法，其特征在于：采用TE/TM线偏振光为入射光，入射角为被测掩模的闪耀角，包括如下步骤：(1)将标准反射片置于样品架上，并将标准反射片的反射光用透镜聚焦至光谱仪的入射狭缝，测量该反射光的光谱分布D0(λ)；(2)将被测掩模置于样品架上，将被测掩模的反射衍射零级复色光聚焦至光谱仪的入射狭缝，测量该反射衍射零级光的光谱分布D(λ)；(3)根据下列公式，D(λ)＝I0(λ)·Rg(λ)·T(λ)D0(λ)＝I0(λ)·R0(λ)·T(λ)式中，I0(λ)是入射线偏振光的辐射功率分布，T(λ)是光谱测量系统的光谱传递函数，R0(λ)是标准反射片的反射率；采用比较法，计算出介质膜光栅掩模实际的反射衍射零级的光谱分布Rg(λ)，对其进行光谱反演，得到掩模的槽形参数：光刻胶的剩余厚度、槽深和占宽比。