[发明专利]一种锰掺杂氮化镓室温铁磁纳米材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810158073.8 | 申请日： | 2008-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101391758A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 秦晓燕;王泽岩;黄柏标;张晓阳 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250061山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种锰掺杂氮化镓室温铁磁纳米材料及其制备方法，该材料的化学式为：Mn/GaN，锰的掺入量为0.19％-3％。该材料的制备方法包括以下步骤：(1)按质量比20∶1∶0.24-12.8的比例将氧化镓、二氧化锰和活性炭粉的粉末在研钵中研磨10分钟充分混合；(2)将混合均匀的粉末放入石英坩埚，然后转移到管式炉中，通入流量为300ml/min的氨气，以25℃/min的升温速率升到850℃保持3个小时，然后在氨气气氛下自然降温至200℃，关闭氨气，自然降至室温，即得锰掺杂氮化镓纳米材料。本发明充分利用活性炭的强还原特性，有效抑制了合成过程中氧缺陷的含量，提高了锰元素的掺入量，得到了一维纳米结构的锰掺杂氮化镓材料，具有氧缺陷含量低、锰元素含量高、室温下铁磁性强的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氮化 室温 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种锰掺杂氮化镓室温铁磁纳米材料，其特征是：该材料的化学式为：Mn/GaN，锰的掺入量为0.19％-3％。
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