[发明专利]高频表面声波元件无效
| 申请号： | 200810160835.8 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101677234A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 施文钦;王茂进 | 申请（专利权）人： | 大同股份有限公司;大同大学 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省台北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种高频表面声波元件，尤指一种可通过调整其所具的纳米钻石膜层的厚度而轻易地调整其中心频率的高频表面声波元件。本发明的高频表面声波元件包括：一硅基板；一纳米钻石膜层，是位于此硅基板之上；一压电层，形成于此纳米钻石膜层的表面；一输入转换部；以及一输出转换部；其中，此输入转换部与此输出转换部成对地设置于此压电层的表面或其下方。此外，前述的纳米钻石膜层的厚度较佳介于0.5μm至20μm之间，前述的压电层的材质较佳包括氧化锌、氮化铝或铌酸锂，压电层的厚度则较佳介于0.5μm至5μm之间。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 表面 声波 元件 | ||
【主权项】：
1、一种高频表面声波元件，其特征在于包括：一硅基板；一纳米钻石膜层，位于该硅基板之上；一压电层，形成于该纳米钻石膜层的表面；一输入转换部；以及一输出转换部；其中，该输入转换部与该输出转换部是成对地设置于该压电层的表面。
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