[发明专利]具有桥式互连平板的半导体封装结构

摘要

本发明涉及一种具有桥式互连平板的半导体封装结构，该半导体封装包含一具有漏极导线、源极导线与栅极导线的导线框架、以及耦合至导线框架的半导体芯片，该半导体芯片具有若干个金属化源极接触区域。桥式源极互连平板具有桥形部分、若干个设置于桥形部分两侧的低凹部分、若干个设置于低凹部分与桥形部分两侧的平面部分、与依靠于其中一个平面部分的连接部分，且桥式源极互连平板是连接源极导线与金属化源极接触区域。同时，当平面部分设置于桥形部分的平面与低凹部分的平面中间的平面时，桥形部分会设置在低凹部分的平面之上的平面上。

主权项

1. 一种半导体封装结构，其特征在于，包含：一导线框架，具有一漏极导线、一源极导线与一栅极导线；一半导体芯片，其耦合至该导线框架，该半导体芯片具有至少一金属化源极接触区域；一桥式源极板，其具有一桥形部分、若干个低凹部分、若干个平面部分与一连接部分，且该些低凹部分设置于该桥形部分的两侧，该些平面部分设置于该些低凹部分与该桥接部分的两侧，该连接部分依靠于其中一个平面部分，该桥式源极板连接源极导线与至少一金属化源极接触区域；以及一封装材料，覆盖在该半导体芯片以及该漏极导线、该源极导线与该栅极导线上的至少一部分。