[发明专利]通过处理开口侧壁上的聚合物来防止弯曲和鼓起的方法

摘要

本发明提供一种通过处理开口侧壁上的聚合物来防止弯曲和鼓起的方法。通过在每个接触开口的侧壁上形成高导电薄膜以在防止蚀刻轮廓鼓起或者弯曲的同时蚀刻高深宽比的接触开口。通过在蚀刻处理过程中周期性地执行离子轰击来提高侧壁上薄膜的电导率。

主权项

1. 一种执行等离子体离子蚀刻以在衬底上的电介质层中形成高深宽比的接触开口的方法，所述方法包括：在所述电介质层上面的光阻层中形成孔，所述孔限定接触开口的位置和直径；将所述衬底放置在等离子体反应器室中；将(a)从由C2F4、C4F6、CH2F2或者C4F8组成的组中选择的氟碳/氟氢碳气体以第一气体流率；(b)氟化硅气体以在所述第一流率的0.5和1.5之间的第二流率；以及(c)氩气体以所述第一流率的约2和7倍之间的流率引入到所述室中；在与所述孔对准的所述电介质层中蚀刻接触开口，同时在所述接触开口的侧壁上沉积膜厚度小于所述接触开口的半径的聚合物膜，沉积所述聚合物膜包括将RF功率耦合到所述室以在所述室中产生等离子体；持续施加与所期望的等离子体蚀刻处理相对应的标称RF偏置功率电平的RF偏置功率；并且增大所述侧壁上的所述聚合物膜的电导率，所述增大电导率包括用氩离子对所述聚合物膜进行离子轰击，离子轰击所述聚合物膜包括将超过所述标称功率电平的1.5倍多的高RF偏置功率电平的RF偏置功率的相继脉冲耦合到所述衬底。