[发明专利]图案化的方法无效
| 申请号： | 200810161369.5 | 申请日： | 2008-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101625960A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 许汉辉;洪士平;魏安祺;吴明宗 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/308;H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种图案化的方法。首先，提供一衬底，此衬底具有目标材料层。然后，在目标材料层上形成掩膜层。接着，在掩膜层上形成图案层，其中图案层的材料包括含金属材料。之后，对掩膜层进行图案化以形成图案化掩膜层。继之，以图案化掩膜层为掩膜，对目标材料层进行图案化。本发明提供的图案化的方法，在掩膜层及图案化光刻胶之间夹一阻挡层，可用以提升光刻工艺的解析度及蚀刻工艺的抗蚀刻度，以利于制作线宽小于80奈米(nm)以下的工艺，甚至可以缩小半导体元件的关键尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 方法 | ||
【主权项】：
1、一种图案化的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一衬底，该衬底具有一目标材料层；在该目标材料层上形成一掩膜层；在该掩膜层上形成一图案层，其中该图案层的材料包括一含金属材料；对该掩膜层进行图案化以形成一图案化掩膜层；以及以该图案化掩膜层为掩膜，对该目标材料层进行图案化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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