[发明专利]工件支承装置有效
申请号: | 200810161706.0 | 申请日: | 2008-09-22 |
公开(公告)号: | CN101447445A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 乡古伦央;谷口敏尚;坂井田敦资;石川富一;冈本圭司 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677;B65G51/02;B65G49/07;B65G49/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种利用气体使工件悬浮从而能够不带破损和瑕疵地进行输送的工件支承装置。利用每隔规定间隔配置的安装构件(13)支承通气性多孔片(14),在通气性多孔片(14)下面侧划分出密闭空间(15),该密闭空间(15)连接着加压气体供给源(16)。通气性多孔片(14)在每个与安装构件13安装的部位间凸状鼓出,同时使气体滞留在安装构件(13)上所形成的空间(17)中。 | ||
搜索关键词: | 工件 支承 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种工件支承装置,其特征在于,包括:基体(11);配置在基体(11)上的框构件(12);配置在所述框构件(12)内侧的所述基体(11)上的至少一个安装构件(13);由所述框构件(12)和所述安装构件(13)支承的通气性多孔片(14);向由所述通气性多孔片(14)、所述框构件(12)和所述基体(11)划分出的密闭空间(15)供给加压气体的加压气体供给源(16),在利用所述加压气体供给源(16)供给加压气体时,依靠从所述通气性多孔片(14)喷出的气体支承工件(W),并且,使从所述通气性多孔片(14)喷出的气体滞留在所述安装构件(13)上形成的空间(17)中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造