[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200810161763.9 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101404257A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 手塚勉;丰田英二 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明能够提供一种尽可能地抑制沟道大小以及形状的波动、并且使沟道宽度尽可能小的场效应晶体管及其制造方法。该场效应晶体管的制造方法具备：在半导体基板上形成绝缘膜的掩模的工序，该半导体基板的上表面具备包含Si的半导体层；通过使用掩模来进行蚀刻从而将半导体层加工为向与半导体基板的上表面平行的一个方向延伸的台面状的工序；通过进行氢环境中的热处理，使半导体层的向一个方向延伸且相对的一对侧面间的距离变窄并且使侧面平坦化的工序；形成覆盖侧面被平坦化的半导体层的栅极绝缘膜的工序；形成覆盖栅极绝缘膜的栅电极的工序；以及在栅电极两侧的半导体层上形成源/漏区的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，具备：在半导体基板上形成绝缘膜的掩模的工序，其中，在该半导体基板的上表面具备包含Si的半导体层；通过使用上述掩模来进行蚀刻、从而将上述半导体层加工为向与上述半导体基板的上表面平行的一个方向延伸的台面状的工序；通过进行氢环境中的热处理、从而使上述半导体层的向上述一个方向延伸且相对的一对侧面间的距离变窄并且使上述侧面平坦化的工序；形成覆盖侧面被平坦化的上述半导体层的栅极绝缘膜的工序；形成覆盖上述栅极绝缘膜的栅电极的工序；以及在上述栅电极两侧的上述半导体层上形成源/漏区的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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