[发明专利]半导体基板的切断方法无效
| 申请号： | 200810161873.5 | 申请日： | 2003-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101369554A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 福世文嗣;福满宪志;内山直己;杉浦隆二 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/301;B28D5/00;B28D1/22;B23K26/38;B23K26/40;B23K26/08;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过发生多光子吸收在硅晶片(11)内部由熔融处理区域(13)形成预定切断部(9)后，使贴附在硅晶片(11)上的粘接薄片(20)扩张。因此，沿预定切断部(9)高精度地将硅晶片(11)切断成半导体芯片(25)。这时，因为邻接的半导体芯片(25、25)的相对向的切断面(25a、25a)从粘附的状态分离，所以芯片接合树脂层(23)也沿预定切断部(9)切断。因此，与不切断基材(21)地用刀片切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)的情形比较，可以效率远高得多地切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 切断 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基板的切断方法，其特征在于，在所述半导体基板的表面形成有功能元件，所述切断方法，具有：包括，通过沿预定切断线向所述半导体基板的内部照射激光，从而在所述半导体基板的内部形成熔融处理区域，该熔融处理区域是临时熔融后再固化的区域，利用该熔融处理区域形成预定切断部，并使裂纹从所述熔融处理区域到达所述半导体基板的表面的工序；以及接着沿所述预定切断部将所述半导体基板切断成半导体芯片的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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