[发明专利]降低二甲基二氯硅烷水解气相氯化氢中杂质含量的工艺方法无效
| 申请号： | 200810162569.2 | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101423193A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 甘腾飞;吴忆南;常东方;郑礼平;冯旭初 | 申请（专利权）人： | 浙江恒业成有机硅有限公司 |
| 主分类号： | C01B7/07 | 分类号： | C01B7/07 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312088浙江省绍兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低二甲基二氯硅烷水解气相氯化氢中杂质含量的工艺方法，包括如下步骤：采用二级装置分离杂质，汽液分离器将二甲基二氯硅烷水解后产生的混合氯化氢气体首先进入导流结构的洗涤塔，除去大部分杂质；然后将除去大部分杂质后的氯化氢气体通入到除沫器的底部，除沫器内层的吸附介质为多孔纤维，该多孔纤维吸附氯化氢气体中的硅氧烷杂质，经吸附掉杂质后的氯化氢气体送至氯甲烷装置，进入后续工艺。本发明降低了氯化氢气体中的杂质含量，提高了二甲基二氯硅烷水解物的收率；同时净化后氯化氢气体压力保持在较高水平；而且不产生大量废酸，避免废酸的处理；其次能耗较低，设备费用较低。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 甲基 硅烷 水解 氯化氢 杂质 含量 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种降低二甲基二氯硅烷水解气相氯化氢中杂质含量的工艺方法，其特征在于包括如下步骤：采用二级装置分离杂质，汽液分离器将二甲基二氯硅烷水解后产生的混合氯化氢气体首先进入导流结构的洗涤塔，洗涤塔采用过冷饱和盐酸从塔顶喷淋洗涤，同时降低气体温度在-40℃—40℃，除去大部分杂质，洗涤后的浓盐酸从塔底流出；然后将除去大部分杂质后的氯化氢气体通入到除沫器的底部，除沫器内层的吸附介质为多孔纤维，该多孔纤维吸附氯化氢气体中的硅氧烷杂质，之后将硅氧烷杂质与氯化氢气体分离，经过除沫器吸附下来的液滴回流入汽液分离器，经吸附掉杂质后的氯化氢气体送至氯甲烷装置，进入后续工艺。
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