[发明专利]单晶硅太阳电池绒面的制备方法

摘要

本发明公开一种单晶硅太阳电池绒面的制备方法，其工艺为：将前道化学预清洗后用纯水漂洗干净的单晶硅片，放置在功率为1800～2400w，频率为25～40kHz的超声波清洗机的超声槽中，超声槽中配有重量百分比为1％～2％的NaOH和3％～6％异丙醇的混合水溶液，设定混合水溶液的温度为75～85℃，超声时间为30～35min，然后取出单晶硅片放置在体积百分比为10％的盐酸水溶液中浸泡4～6min，漂洗后，再用体积百分比为10％的氢氟酸水溶液浸泡4～6min，再用去离子水清洗，烘干。本发明制备的硅片绒面均匀，反射率低，且降低了碎片率，提高了生产效率和产能。

主权项

1. 一种单晶硅太阳电池绒面的制备方法，首先对单晶硅片进行前道化学预清洗，然后对单晶硅片进行绒面腐蚀，其特征在于：所述的绒面腐蚀包括：将前道化学预清洗完成后用纯水漂洗干净的单晶硅片，放置在功率为1800～2400w，频率为25～40kHz的超声波清洗机的超声槽中，超声槽中配有重量百分比为1％～2％的NaOH和重量百分比为3％～6％的异丙醇的混合水溶液，设定混合水溶液的温度为75～85℃，超声时间为30～35min，然后取出单晶硅片放置在体积百分比为10％～20％的盐酸水溶液中浸泡4～6min，漂洗后，再用体积百分比为10％～20％的氢氟酸水溶液浸泡4～6min，然后用去离子水漂洗数次，烘干。