[发明专利]低损耗交流电子开关电路有效

专利信息
申请号: 200810163939.4 申请日: 2008-12-27
公开(公告)号: CN101442303A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 夏小勇 申请(专利权)人: 夏小勇
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 杭州中平专利事务所有限公司 代理人: 翟中平
地址: 311100浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及同一构思、二种不同电路的低损耗交流电子开关电路,两个VMOS功率场效应管V1和V2是按相反工作电流方向串联连接在交流回路中。优点:只要被控制的交流电流足够小,或者N沟道电阻足够小,那么通态压降可以作到远小于0.7V以下,可以使得开关损耗降到最低限度,这是目前现有任何固态交流电子开关都无可比拟的最大优点。
搜索关键词: 损耗 交流 电子 开关电路
【主权项】:
1、一种低损耗交流电子开关电路,其特征是:两个VMOS功率场效应管V1和V2是按相反工作电流方向串联连接在交流回路中。
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