[发明专利]垂直纳米线FET器件的制造方法以及由该方法制造的FET器件

摘要

本发明涉及一种垂直纳米线FET器件的制造方法以及由该方法制造的FET器件。通过以下步骤形成包括垂直半导体纳米线的垂直场效应晶体管(FET)。在形成于底部电极上的底部电介质层中产生柱状孔。通过镀敷垂直半导体纳米线，填充柱状孔，该垂直半导体纳米线的底端接触底部电极。半导体纳米线形成具有FET沟道区的FET器件，该FET沟道区位于在垂直半导体纳米线的两端中形成的源极区和漏极区之间。围绕垂直半导体纳米线的沟道区而形成栅极电介质层，然后围绕栅极电介质层形成栅电极。形成与垂直半导体纳米线的顶端接触的顶部电极。

主权项

1. 一种形成垂直场效应晶体管(FET)的方法，包括以下步骤：在形成于底部电极上的底部电介质层中产生柱状孔；通过镀敷其底端形成于所述底部电极上的垂直半导体纳米线，用所述半导体纳米线填充所述柱状孔，形成FET器件，所述FET器件包括位于在所述垂直半导体纳米线的两端中形成的源极区和漏极区之间的FET沟道区；围绕着所述垂直半导体纳米线的所述沟道区，形成栅极电介质层；围绕着所述栅极电介质层，形成栅电极；以及形成与所述垂直半导体纳米线的顶端接触的顶部电极。