[发明专利]清洗基片的方法与装置有效
| 申请号： | 200810165891.0 | 申请日： | 2008-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN101404242A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李世原 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B7/00;B23K26/12;H01J37/32;B23K101/40 |
| 代理公司： | 上海恩田旭诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 洪 磊 |
| 地址： | 韩国忠南天*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 使用激光束清洗基片的方法与装置中，内室设在处理室中以界定出其中生成激光诱导冲击波的空间。所述激光束聚焦在位于所述内室中的激光焦点上，由此绕所述激光焦点生成所述激光诱导等离子冲击波。所述等离子冲击波从所述内室的内表面反射，并且经由所述内室的下部辐照在所述基片上。从而，辐照在所述基片上的所述等离子冲击波的强度得以增大，由此有效去除所述基片上的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种清洗基片的方法，所述方法包括：生成激光束；将所述激光束聚焦在激光焦点上以生成等离子冲击波，所述激光焦点位于所述基片的上方；聚集所述等离子冲击波；及将所述经聚集的等离子冲击波辐照在所述基片上以从所述基片去除杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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