[发明专利]一种磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置无效
| 申请号： | 200810165915.2 | 申请日： | 2008-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101684569A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 潘建国;刘晓利;李月宝;杨书颖;张公军;崔玉杰;陈素珍 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B7/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及人工晶体生长领域，是一种新型的KDP类晶体的生长方法和装置，即一种溶液循环蒸发生长晶体的方法。它是由容器和温度控制系统两个部分组成，容器部分包括：保温槽、生长缸。其中保温槽分为上下两部分，中间由隔板隔开。下层部分内装蒸馏水，用作水浴保温，为高温区。上层利用空气浴保温，为低温区。生长缸也分为两部分，上盖部分为溶解室，下面部分为生长室。生长室在保温层水浴中，溶解室在保温层空气浴中。本发明的生长装置可用于磷酸二氢钾、磷酸二氘钾、磷酸二氢铵和磷酸二氘铵及同系列的KDP类晶体的生长。使用这种生长装置，可在相对较小的生长槽中，生长出较大尺寸的晶体。生长速度快，晶体质量高，生长设备简单，成本的投入降低，提高了经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷酸 二氢钾类 单晶体 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种溶液循环蒸发生长KDP类晶体的生长方法和装置，主要有容器和温度控制系统两个部分组成，整个生长装置包括：保温槽、生长缸、电机、载晶架、搅拌器、温度传感器、温度控制器、加热器等。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波大学，未经宁波大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810165915.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
