[发明专利]场效应晶体管、半导体芯片及半导体装置

摘要

本发明提供一种均匀性及生产性高、并且作为高频性能，噪声指数小且相关增益大的场效应晶体管(FET)、具有该FET的半导体芯片及半导体装置。本发明的FET(1)在GaAs半导体基板(2)上层叠i形GaAs缓冲层(3)、i形InGaAs二维电子气体层(4)、和n形AlGaAs电子供给层(5)，在n形AlGaAs电子供给层(5)上具有线状地欧姆接触的栅电极(12)，从栅电极(12)的两侧离开并且在n形AlGaAs电子供给层(5)上层叠n形InGaP蚀刻停止层(6)，并接着在同等程度的横向位置上层叠n形GaAs接触层(7)，在n形GaAs接触层(7)上，作为从接触层(7)的端部离开并带状地欧姆接触的电极，在各侧具有源电极(9)和漏电极(10)。

主权项

1. 一种场效应晶体管，其特征在于，在包含镓和砷的GaAs半导体基板上层叠：i形GaAs层，作为缓冲层，包含镓和砷，不含载流子杂质；i形InGaAs层，作为二维电子气体层，包含铟、镓和砷，不含载流子杂质；以及n形AlGaAs层，作为电子供给层，包含铝、镓和砷，并含有n形载流子杂质，在作为电子供给层的上述n形AlGaAs层上具有线状地欧姆接触的栅电极，从上述栅电极的两侧离开且在作为电子供给层的上述n形AlGaAs层上层叠n形InGaP层，该n形InGaP层作为蚀刻停止层，包含铟、镓和磷，并含有n形载流子杂质，接着在同等程度的横向位置上层叠n形GaAs层，该n形GaAs层作为接触层，包含镓和砷，并含有n形载流子杂质，在作为接触层的上述n形GaAs层上，作为从上述接触层的端部离开并带状地欧姆接触的电极，在各侧具有源电极和漏电极。