[发明专利]通过覆盖集成层形成电路的方法有效
| 申请号： | 200810167076.8 | 申请日： | 2008-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101409217A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·彼得·布罗迪 | 申请（专利权）人： | 阿德文泰克全球有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/82;C23C14/04;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 英属维尔京*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要： | 一种通过覆盖集成层形成电路的方法。在该形成电路组件的方法中提供了基板，该包括多个构成电路的第一部分。第一部分的表面比形成所述电路的其他部分的表面高。通过真空中的一种或多种阴影掩模汽相沉积工艺在基板上沉积所有的部分。对覆盖所有部分的光致抗蚀剂进行硬化，然后磨除光致抗蚀剂，直到第一部分的表面暴露出来而其他部分的表面没有暴露出来，并使已磨除的光致抗蚀剂的表面和第一部分的暴露表面处于同一水平。通过在真空中进行阴影掩模汽相沉积工艺在第一部分的暴露表面上沉积第二部分，使之达到已磨除的光致抗蚀剂的顶部表面的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 覆盖 集成 形成 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基板上形成电路组件的方法，包括：(a)通过阴影掩模汽相沉积工艺在基板上沉积第一金属部分；(b)在基板上沉积光致抗蚀剂，使光致抗蚀剂覆盖第一金属部分和环绕第一金属部分的区域；(c)使沉积在基板上的光致抗蚀剂硬化；以及(d)对已硬化的光致抗蚀剂进行磨除，直到第一金属部分的表面暴露出来并且已硬化的光致抗蚀剂的表面与第一金属部分的暴露表面处于同一水平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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