[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810167488.1 | 申请日： | 2008-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101409237A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 赵勇洙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，该方法消除了漏电流增加的原因，并因此在蚀刻源区和漏区中的半导体衬底之后通过使用包含掺杂物的氧化膜形成浅结来抑制高集成电路中的功率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成栅极；在所述栅极的侧壁上形成第一氧化膜；在所述栅极的侧壁上形成隔离件；通过使用所述隔离件作为掩模实施蚀刻工艺来去除部分所述半导体衬底至预定的深度，然后在所述半导体衬底、所述第一氧化膜和所述隔离件上方形成包含掺杂物的第二氧化膜；通过实施热处理使所述掺杂物从所述第二氧化膜扩散至部分所述半导体衬底中来在所述半导体衬底中形成浅结；以及然后在包括所述浅结的所述半导体衬底上方形成源区和漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
