[发明专利]驱动非易失性半导体存储器件的方法有效
| 申请号： | 200810168078.9 | 申请日： | 2008-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101399080A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 藤木润 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于驱动易失性半导体存储器件的方法。该非易失性半导体存储器件具有在半导体衬底的表面部分中相互间隔开的源极/漏极扩散层，在源极/漏极扩散层之间的沟道上形成并包括电荷存储层的层压绝缘膜，以及在该层压绝缘膜上形成的栅极电极，该非易失性半导体存储器件通过电荷到电荷存储层中的注入来改变其数据存储状态。该方法包括在将电荷注入到电荷存储层中以改变数据存储状态之前：注入具有与要注入的电荷相同的极性的电荷；以及进一步注入具有与所注入电荷相反的极性的电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 非易失性 半导体 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于驱动非易失性半导体存储器件的方法，所述非易失性半导体存储器件具有在半导体衬底的表面部分中相互间隔开的源极/漏极扩散层，在源极/漏极扩散层之间的沟道上形成并包括电荷存储层的层压绝缘膜，以及在该层压绝缘膜上形成的栅极电极，该非易失性半导体存储器件通过注入电荷到电荷存储层中来改变其数据存储状态，所述方法包括，在将电荷注入到电荷存储层中以改变数据存储状态之前：注入具有与将被注入到电荷存储层的电荷相同的极性的电荷；以及进一步注入具有与注入到电荷存储层的电荷的极性相反极性的电荷。
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