[发明专利]图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开一种图像传感器及其制造方法。可以制备包括光电二极管区、晶体管区以及浮置扩散区的半导体衬底。可以将栅极电介质置于位于晶体管区中的半导体衬底的表面下方。可以提供第一电介质图案，该第一电介质图案的一部分位于该光电二极管和该浮置扩散区中的半导体衬底的表面上，并且一部分位于该光电二极管和该浮置扩散区中的半导体衬底的表面下。可以将第二电介质置于该栅极电介质的下方。该第二电介质可以将该栅极电介质的深度延伸至该半导体衬底中，以便间隔出从该光电二极管区至该浮置扩散区的光电子迁移通道。根据本发明的图像传感器及其制造方法可以抑制电子捕获或闪烁噪声的形成，并且提高图像传感器的光学特性。

主权项

1. 一种图像传感器，包括：半导体衬底，该半导体衬底包括光电二极管区和晶体管区；栅极电介质，设置于该晶体管区中的该半导体衬底的表面下；第一电介质图案，具有位于该光电二极管区中的该半导体衬底的表面上的部分和位于该光电二极管区中的该半导体衬底的表面下的部分；以及第二电介质，位于该栅极电介质的下方。