[发明专利]H桥电路的新栅极驱动方法有效
| 申请号： | 200810168145.7 | 申请日： | 2008-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101686046A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 郑健华;李菁;尉林鹏;赵宏伟;李蔚莹 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K17/687 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种H桥电路的新栅极驱动方法。在本发明的H桥电路中，栅极驱动器电路连接到NMOS器件(12)的栅极，其中，在H桥电路的死区时间期间，栅极驱动器电路的输出电压为从0.1V到0.4V。与常规H桥电路相比，本发明的NMOS器件(12)的栅极电压不再是0，而是被偏置为从0.1V到0.4V，从而解决了少数载流子注入和功率耗散的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 栅极 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种H桥电路，包括：第一P沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件；第一N沟道金属氧化物半导体(NMOS)器件，所述第一PMOS器件和所述第一NMOS器件串联连接且设置于电源和地之间；用于第一PMOS器件的栅极驱动器，连接到第一PMOS器件的栅极；以及用于第一NMOS器件的栅极驱动器电路，连接到第一NMOS器件的栅极，其中，在H桥电路的死区时间期间，所述的用于第一NMOS器件的栅极驱动器电路的输出电压为从0.1V到0.4V。
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