[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200810168156.5 申请日: 2007-09-29
公开(公告)号: CN101399177A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 江口晋吾;门马洋平;谷敦弘;广末美佐子;桥本健一;保坂泰靖 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/84;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/20;H01L21/50;G02F1/1333
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王 岳;王小衡
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时,抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状,来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时,供应纯水等的液体,以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散,从而可以消除因剥离带电的放电。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1. 一种半导体装置的制造方法,包括:在衬底上形成剥离层;在所述剥离层上形成具有半导体元件的元件形成层;在所述元件形成层上提供支撑基材;在所述剥离层和所述元件形成层之间的界面处产生剥离;通过绕滚筒卷绕所述元件形成层和所述支撑基材,将所述元件形成层从所述衬底分离;以及用液体濡湿因剥离而露出的所述元件形成层的表面。
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