[发明专利]半导体装置的制造方法有效
申请号: | 200810168156.5 | 申请日: | 2007-09-29 |
公开(公告)号: | CN101399177A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 江口晋吾;门马洋平;谷敦弘;广末美佐子;桥本健一;保坂泰靖 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/84;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/20;H01L21/50;G02F1/1333 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王 岳;王小衡 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时,抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状,来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时,供应纯水等的液体,以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散,从而可以消除因剥离带电的放电。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体装置的制造方法,包括:在衬底上形成剥离层;在所述剥离层上形成具有半导体元件的元件形成层;在所述元件形成层上提供支撑基材;在所述剥离层和所述元件形成层之间的界面处产生剥离;通过绕滚筒卷绕所述元件形成层和所述支撑基材,将所述元件形成层从所述衬底分离;以及用液体濡湿因剥离而露出的所述元件形成层的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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