[发明专利]用于Si和金属纳米晶体成核的等离子体表面处理无效
| 申请号： | 200810168235.6 | 申请日： | 2008-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN101414557A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·艾伦·克劳斯;克里斯托弗·肖恩·奥尔森;肖恩·迈克尔·索特;李明 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了用于Si和金属纳米晶体成核的等离子体表面处理。本发明提供了诸如非易失性存储器件的一种器件及用于在集成处理工具中形成该器件的方法。该方法包括在衬底上沉积隧道氧化物层，将该隧道氧化物层暴露于等离子体，以便该等离子体改变该隧道氧化物的表面和近表面的形态以形成改性近表面。随后在该隧道氧化物的该改性表面上沉积纳米晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 si 金属 纳米 晶体 成核 等离子体 表面 处理 | ||
【主权项】：
1. 一种处理衬底的方法，包括：在衬底上沉积隧道氧化物层；将所述隧道氧化物层暴露于等离子体，其中所述等离子体改变所述隧道氧化物的形态，以形成所述隧道氧化物的改性表面和改性近表面；以及在所述隧道氧化物的该改性表面上沉积纳米晶体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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