[发明专利]使用离子束的半导体装置无效
| 申请号： | 200810168645.0 | 申请日： | 2008-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101365290A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 黄盛煜;李英姬;申哲浩;李振硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用离子束的半导体装置。该半导体装置可包括施加电压的第一格栅。施加到第一格栅的电压可具有与施加到等离子体腔的壁部分的参考电压相同的电势电平，等离子体腔中可产生等离子体。第一格栅可毗邻等离子体。因此，第一格栅和等离子体腔的壁部分之间的电势电平差可以为零，因此等离子体可以是稳定的。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 离子束 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括：等离子体腔，包括壁部分和内部空间，向壁部分施加参考电压，在内部空间中产生等离子体；以及多个格栅，邻近该等离子体腔且从等离子体诱发离子束，其中每个格栅包括离子束从其穿过的多个诱发孔，具有与该参考电压相同电势电平的电压施加到第一格栅，且具有与该参考电压不同电势电平的电压施加到最后格栅；其中第一格栅是最靠近等离子体的格栅，最后格栅是最远离等离子体的格栅。
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