[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810168725.6 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101494238A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 久本好明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置，具有高耐压功率器件IGBT的半导体装置中，背面的p集电极层(4)的硼(B)的注入量为约3×1013/cm2，注入能量为约50KeV，注入深度为约0.5μm。此外，n+型缓冲层(5)的磷(P)的注入量为约3×1012/cm2，注入能量为约120KeV，注入深度为约20μm。作为寿命的控制，从半导体衬底(100)的背面侧照射质子。作为最优条件，质子的照射量为约1×1011/cm2，照射到距背面约32μm的深度位置。由此，没有快回现象，并且能够谋求低饱和电压Vce(sat)和补偿电压(Eoff)之间的折衷特性的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具备：在第一导电型的半导体衬底的表面侧设置的半导体元件区域；从所述半导体衬底的背面侧朝向所述半导体衬底的深度方向设置的第二导电型的集电极层以及第一导电型的缓冲层，所述集电极层在从所述半导体衬底的背面侧的表面到深度约0.5μm的区域包含第二导电型杂质区域、并且杂质浓度的最大值是约2×1016/cm3，所述缓冲层在距所述半导体衬底的背面侧的表面的深度为约0.5μm至约20μm的区域包含第一导电型杂质、并且杂质浓度的最大值是约3×1015/cm3，具有在距所述半导体衬底背面侧的表面约32μm的深度区域包含缺陷层的施主化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810168725.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
