[发明专利]薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法有效
| 申请号： | 200810168941.0 | 申请日： | 2008-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101425543A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 郭相基;孔香植;金善日 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基板，所述TFT基板包括半导体图案、导电图案、第一布线图案、绝缘图案和第二布线图案。半导体图案形成于基板上。导电图案形成为与基板上的半导体图案相一致的层。第一布线图案形成于半导体图案上。第一布线图案包括源极和与源极间隔开的漏极。绝缘图案形成于具有第一布线图案的基板上以覆盖第一布线图案。第二布线图案形成于绝缘图案上。第二布线图案包括形成于源极和漏极上的栅极。因此，使用两个或三个掩膜制造TFT基板，以使得可以降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种薄膜晶体管(TFT)基板，包括：形成于基板上的半导体图案；导电图案，所述导电图案形成为与所述基板上的所述半导体图案一致的层；形成于所述半导体图案上的第一布线图案，所述第一布线图案包括源极和与所述源极间隔开的漏极；绝缘图案，所述绝缘图案形成于具有所述第一布线图案的基板上以覆盖所述第一布线图案；以及形成于所述绝缘图案上的第二布线图案，所述第二布线图案包括形成于所述源极和所述漏极上的栅极。
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