[发明专利]光伏打电池及其制造方法有效
| 申请号： | 200810169023.X | 申请日： | 2008-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101728446A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈永芳;许国强;戴煜暐;吴孟修 | 申请（专利权）人： | 新日光能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/055 | 分类号： | H01L31/055;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;路小龙 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光伏打电池包含一基板、多个光伏打转换单元、一抗反射层及一色转换层。光伏打转换单元设置于基板上；抗反射层与色转换层设置于光伏打转换单元的上方，色转换层包含多个色转换材料及多个复合粒子，其中，色转换层与抗反射层的配置可包含有色转换层设置于抗反射层上，或抗反射层设置在色转换层上的态样。一种光伏打电池的制造方法亦一并揭露。 | ||
| 搜索关键词： | 光伏打 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光伏打电池，包含：一基板；多个光伏打转换单元，设置于该基板上；ㄧ抗反射层，设置于该些光伏打转换单元上；以及一色转换层，设置于该抗反射层上，该色转换层包含多个色转换材料及多个复合粒子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新日光能源科技股份有限公司，未经新日光能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810169023.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
