[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法。用通过激励氢气而产生并用离子掺杂设备加速的离子来照射单晶半导体衬底，从而形成包含大量氢的损伤区。在接合单晶半导体衬底和支承衬底之后，加热单晶半导体衬底，以沿损伤区分离。在加热与单晶半导体衬底分离的单晶半导体层的同时，采用激光束来照射该单晶半导体层。通过经由激光束照射熔融，单晶半导体层经过再单晶化，从而复原其结晶度，并对单晶半导体层的表面进行平面化。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：用由离子掺杂设备加速的离子照射单晶半导体衬底，以在距离所述单晶半导体衬底的表面的预定深度的区域中形成损伤区；在支承衬底和所述单晶半导体衬底这二者的至少其一之上形成缓冲层；将所述支承衬底和所述单晶半导体衬底设置成所述缓冲层夹在所述支承衬底与所述单晶半导体衬底之间而相互接触，以使所述支承衬底和所述单晶半导体衬底相互接合；通过加热所述单晶半导体衬底在所述损伤区中产生裂纹，以使所述单晶半导体衬底与所述支承衬底分离，从而形成与所述单晶半导体衬底分离的单晶半导体层在其上固定的支承衬底；以及在加热所述单晶半导体层的同时用激光束来照射固定在所述支承衬底上的所述单晶半导体层，以熔融所述单晶半导体层，从而进行所述单晶半导体层的再单晶化。