[发明专利]太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 200810169547.9 | 申请日： | 2008-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101399293A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 木下敏宏 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/05;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能电池的制造方法。i型非晶硅层(14)和p型非晶硅层(15)进入n型单晶硅基板(11)具有的贯通孔内；i型非晶硅层(12)和n型非晶硅层(13)进入n型单晶硅基板(11)具有的贯通孔内。贯通孔的内壁面被i型非晶硅层(14)和i型非晶硅层(12)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种太阳能电池，其特征在于，包括：具有受光面、设置在所述受光面的相反侧的背面、和从所述受光面贯通至所述背面的贯通孔的半导体基板；在所述受光面上形成的第一受光面侧非晶半导体层；在所述第一受光面侧非晶半导体层上形成的第二受光面侧非晶半导体层；在所述背面上形成的第一背面侧非晶半导体层，在所述第一背面侧非晶半导体层上形成的第二背面侧非晶半导体层；和设置在所述贯通孔内、通过绝缘层与所述第一背面侧非晶半导体层和所述第二背面侧非晶半导体层绝缘的导体，其中，所述第一受光面侧非晶半导体层和所述第一背面侧非晶半导体层具有i型的导电型，所述第一受光面侧非晶半导体层和所述第二受光面侧非晶半导体层进入所述贯通孔内，所述第一背面侧非晶半导体层和所述第二背面侧非晶半导体层进入所述贯通孔内，所述贯通孔的内壁面被所述第一受光面侧非晶半导体层和所述第一背面侧非晶半导体层覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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