[发明专利]半导体器件中的叠层电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810169585.4 | 申请日： | 2008-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101414606A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 房基完 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件中的叠层电容器包括形成于半导体衬底上和/或上方的第一电容器以及形成于第一电容器上和/或上方的第二电容器。第一电容器和第二电容器每个都具有多层层压结构，该层压结构包括下部电极、电容器介电层和上部电极。下部电极和上部电极中的至少两个相互垂直地排列以具有相同的宽度和/或表面区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一电容器，形成于所述半导体衬底上方并且具有包括第一下部电极、第一电容器介电层和第一上部电极的层压结构；以及第二电容器，形成于所述第一电容器上方并且具有包括第二下部电极、第二电容器介电层和第二上部电极的层压结构，其中，所述第一下部电极、所述第一上部电极、所述第二下部电极和所述第二上部电极中的至少两个相互垂直地排列以具有相同的表面区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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