[发明专利]形成高压元件深阱的方法

摘要

本发明提供一种形成高压元件深阱的方法，该方法包括：提供一基底，该基底上具有一第一牺牲层；形成一第一图案化遮蔽层于该牺牲层上，并露出一第一开口区；对该第一开口区进行第一离子掺杂，以形成一第一次掺杂区；移除该第一图案化遮蔽层与该第一牺牲层；形成一外延层于该基底上；形成一第二牺牲层于该外延层上；形成一第二图案化遮蔽层于该牺牲层上，并露出第二开口区；对该第二开口区进行第二离子掺杂，以形成一第二次掺杂区；移除该第二图案化遮蔽层；执行一回火步骤，使该第一掺杂区与该第二掺杂区扩散成一深阱；以及移除该第二牺牲层。本发明可缩短阱扩散的时间、减少阱扩散的热预算，可将其他需要外延工艺的高压元件的整合简化。

主权项

一种形成高压元件深阱的方法，其特征在于，所述的方法包括：提供一基底，所述基底上具有一第一牺牲层；形成一第一图案化遮蔽层于所述牺牲层上，并露出一第一开口区；对所述第一开口区进行第一离子掺杂，以形成一第一次掺杂区；移除所述第一图案化遮蔽层与所述第一牺牲层；形成一外延层于所述基底上；形成一第二牺牲层于所述外延层上；形成一第二图案化遮蔽层于所述第二牺牲层上，并露出第二开口区；对所述第二开口区进行第二离子掺杂，以形成一第二次掺杂区；移除所述第二图案化遮蔽层；执行一回火步骤，使所述第一掺杂区与所述第二掺杂区扩散成一深阱；以及移除所述第二牺牲层。