[发明专利]用于在多级互连结构中形成空气间隙的方法无效
| 申请号： | 200810169685.7 | 申请日： | 2008-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101431047A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 夏立群;许惠雯;米哈拉·鲍尔西努;石美仪;德里克·R·维迪;伊沙姆·迈’萨德 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于在多级互连结构中形成空气间隙的方法。所述多级互连结构具有空气间隙。一个实施方式提供了一种用于在半导体结构中形成导电线路的方法，包括：在第一介电层中形成多个沟槽，其中空气间隙将形成在第一介电层中；在沟槽中沉积共形介电阻挡膜，其中共形介电阻挡膜包括低k介电材料，其被构成为用作抵抗在第一介电层中形成空气间隙时使用的湿蚀刻化学试剂的阻挡层；在共形低k介电层上方沉积金属扩散阻挡膜；和沉积导电材料以填充沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多级 互连 结构 形成 空气 间隙 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在半导体结构中形成在导电线路的方法，包括：在第一介电层中形成多个沟槽；在所述沟槽中沉积共形介电阻挡膜，其中该共形介电阻挡膜包括低k介电材料；在共形的低k介电层上方沉积金属扩散阻挡膜；沉积导电材料以填充所述沟槽；平坦化该导电材料以暴露出该第一介电层；在该导电材料上形成自对准覆盖层；和使用湿蚀刻化学试剂去除该第一介电层，其中在该共形介电阻挡膜中的低k介电材料用作该导电材料抵抗该湿蚀刻化学试剂的阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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